高标准测试造就高品质芯片,先进封测能力赋能佰维高品质产品
原副标题:高效率率试验催生高效率率晶片,一流内测潜能赋能佰维高效率率商品
近年来,随着信息通信技术应用领域领域产生的信息量爆发式增长,对内存性能和耗电量的市场需求急速提升,内存试验环节也面临着USB速度急速提高(PCIe6.0/DDR5)、存储耗电量急速减半(TLC/QLC,238/176层)以及加速分析试验结果等各方面带来的新挑战。
Advantest T5503HS2批量生产试验控制系统
近日,Advantest(露丝万)T5503HS2批量生产试验控制系统在佰维一流制造厂区获得成功MW,进一步强化子公司自身全栈DRAM试验潜能。T5503HS2试验速度高达8Gbps,试验精度在±45纳秒,满足佰维DDR5、LPDDR5商品的低频高速路试验市场需求,同时可兼具试验DDR4、LPDDR4/4X及INS13ZD内存电子元件。T5503HS2具有如下特征:
1、配备4.5-GHz高速路GHz信号IO,可扩展试验超过8Gbps速度的内存
2、可自动检测和调整DQS-DQ排程差异,通过动态跟踪确保更充足的排程平衡度
3、T5503HS2牢固的崭新编程双色IO(ALPG),可对一流内存装置进行加速、高效率率的功能评估
4、具有崭新电子电路电源开关电源,响应速度较先前版本(T5503)快4倍,大幅减少增益的冲击
T5503HS2试验控制系统Handler
T5503HS2试验控制系统Tester
佰维高度匹配DRAM关键特性试验高效率、高效率灵活、支持高效率能与INS13ZD的特征,在SSD/DDR组件试验、晶片自动试验、SLT试验、ATE试验、BI劣化试验等应用领域领域积累了丰富的合作开发经验,配搭一流试验终端机,同时通过多年商品的合作开发、试验、应用领域循环插值,子公司拥有庞大的DRAM试验演算法库,有效地保证了DRAM的交付质量。
值得一提的是,佰维依托对内存应用领域情景的体认,以及全面覆盖Flash类/DRAM类DRAM的专业、高效率试验潜能,在DDR、LPDDR等商品应用领域领域急速不断创新,2022年子公司推出了更高效率能、更高效能、更平衡可靠的DDR5商品(传输率高达4800Mbps,耗电量高达32GB)和LPDDR5商品(传输率高达6400Mbps,耗电量高达64Gb),典型应用领域于智能手机电脑、PC/笔记本电脑、智能机、汽车、服务器、AIOT、工业控制、5G应用领域等应用领域领域。
此外,佰维凭借领先的一流内测竞争优势和优异的商品市场综合竞争力,先后问鼎了“芯榜·芯今后”2022本年度“中国一流内测企业奖”、全球内存行业创新论坛(GMIF)2022本年度“杰出PCB试验荣衔”两大桂冠。今后,佰维将急速深化研发内测一体化经营模式,巩固并发展子公司在商品质量保证、商品批量平衡供应及商品订制化合作开发等各方面的重要竞争优势,保证以高效率率商品和服务持续帮助客户取得商业获得成功。返回敬请期待,查看更多
干晓磊:
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